蓝色LED、白色LED以及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件一般采用VPE法之一的MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法进行生产。MOCVD采用有机金属气体等作为原料。蓝色LED在蓝宝石基片和SiC基片上,蓝紫色半导体激光器在GaN基片上使用MOCVD装置使得GaN类半导体层形成外延生长。
GaN由于带隙较宽,可产生蓝色和绿色等波长较短的光。蓝色LED和蓝紫色半导体激光器,采用了在GaN中添加In形成的InGaN。除了带隙较宽以外,GaN还具有绝缘破坏电场高、电场饱和速度快、导热率高等半导体材料的优异特性。另外,采用HEMT(High Electron Mobility Transistor)构造的GaN类半导体元件,其载流子迁移率较高,适合用作高频元件。原因是会产生名为“二维电子气体层”的电子高速流动领域。而且,由于绝缘破坏电场要比Si和GaAs大,耐压较高,可施加更高的电压。因此,在手机基站等高频功率放大器电路中采用GaN类HEMT的话,能够提高电力附加效率,降低耗电。
在节能方面,荧光灯型LED的综合效率还不及HF型荧光灯。美国能源部(Department of Energy,DOE)根据CALiPER(commercially available LED product evaluation and reporting)这一产品评测程序评测了LED照明产品的性能,得出的结论是“性能尚不足以作为代替荧光灯的产品”。日本灯泡工业会也在2009年7月公布了对日本国内上市产品进行的评测结果。表示就节能性能来说,荧光灯型LED还无法看作是可代替荧光灯的光源。在安全性方面,荧光灯型LED的重量超过了JIS的容许范围,因此存在受到冲击和振动等时的脱落之忧。然而即使荧光灯型LED在效率和质量方面还不能取代荧光灯,但存在便利使用的需求,因此有观点认为该产品能够在市场上占据一席之地。