![]() 本电路是由IR2127组成的欠饱和检测电路原理图。 ![]() 图所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于IGBT,用来检测由于过流而过饱和的 IGBT 的电压。这就是说,它也可以用于MOSFET。对于 MOSFET,原理相似,因为过载时 FET 上的电压将会显著增加。 图欠饱和检测电路图 计算电阻值用下面的方法。 Rg 是门极电阻,选择适当阻值以优化开关速度和开关损耗。 R1 典型值为 20k;高的阻值有助于最大限度地减小由于二极管 D1 而增加的弥勒电容,确保没有显著电流从 HO 流出。注意二极管 D1 应具有和自举二极管一样的特性。 当 HO 输出为高时,MOSFET(也可以是 IGBT)Q1 开通。则图 6 中的 X点被拉低至一个电压,此电压等于 FET 上的压降 Vds 加上二极管 D1 压降。所以,当 FET Q1 上的压降达到你所设定的指示过载故障的限值时,我们将关掉驱动器输出。 所以 Q1 上 Vds 电压为 10V。一个的超快恢复二极管的典型电压值为1.2V。 Vx=VD1+VDS Vx=1.2+10 Vx=11.2V IR2127 CS 端开启电压为 250mV,所以我们需要对 Vx 分压,使 Vx=11.2V 时,Vy=250mV。 PCB布板注意事项 |
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