科技评测媒体TweakTown对国际主流的NVMe标准的PCIeSSD进行了全面的测试，项目涵盖了4K随机读写、8K随机读写、128K顺序读写以及OLTP，电子邮件，文件和网络服务器工作负载下的测试。测试的SSD产品有3.2TB的MemblazePBlaze4，3.2TB的HGSTUltrastarSN150以及1.6TB的英特尔DCP3700，以上三款产品均使用了一颗ASIC作为控制器。此外还有使用1个FPGA作为控制器的1.2TB的PBlaze3L，使用了多颗控制器的1.6TB的英特尔DCP3608。值得一提的是DCP3608在加个以及耐擦写能力上较其他送测产品具有一定的优势。
4K随机读写
MemblazePBlaze4在预处理阶段，IOPS性能上有比较大的优势，在256OIO重负载条件下其性能超过了英特尔的DCP3608，此外在32OIO以及更高OIO条件下，PBlaze4都保持着性能优势。而在1和2OIO条件下，其IOPS性能和HGST的SN150处于同一水平（两者使用了同一颗控制器和同样的测试环境）。
延迟-IOPS子图可以看到在IOPS较低时PBlaze4并没有优势，但是随着性能的提升，其延迟提升速度明显慢于其他几个送测产品。我们同样对PBlaze3做了这样的测试，可以看出PBlaze4的表现较PBlaze3有了质的提升。
QoS-IOPS图揭示了几个SSD在不同的工作负荷下提供QoS的变化，可以看出在120000IOPS之前，除了PBlaze3，几个SSD的性能表现相当，但是在之后几款产品陆续出现了延迟快速增大的点，而PBlaze4这一临界点在170000IOPS左右（此时PBlaze4的延迟为5ms）。在QoS32OIO图表中是对于轻量负载下产品的QoS有一个对比。
PBlaze4的功耗要比英特尔DCP3608外的几款产品高，但是随机写性能也比其他几个产品高，可以说在IOPS和功耗之间取得了一个均衡。SN150和PBlaze4在这轮测试中表现相当，对于相同架构的两款产品，得到这样的结果我们并不惊讶。
使用PMC控制器的SSD在随机读测试上表现相当，分别排在DCP3608之后的第二位和第三位（256OIO），DCP3608能够取得最好成绩令人惊讶，因为单颗PMC控制器比两颗控制器的英特尔SSD要更为灵活。此外，在32OIO测试中，PBlaze3L取得了最高成绩，这也令人感到意外，PBlaze4和SN150在1和2OIO随机读测试中表现较好。
QoS-IOPS一图中，PMC支持的两款SSD在随机读上都表现非常好，而DCP3608则是表现最为平稳的一个，但是需要指出的是整个测试中大部分时间PBlaze4的成绩都要比P3608好。在QoS32OIO一图中，Memblaze和HGST的4k随机读延迟始终没有超过0.5ms。
混合读写成绩是我们评判一个SSD产品最高性能的重要指标，PBlaze4和Sn150在一次获得了比较好的成绩。特别是在比较极端的测试条件下，在100%读中PBlaze3L和SN150分列第一和第二名，而在100%写中，PBlaze4则表现最为突出。需要指出的是PBlaze3L虽然在100%读中表现较好，但是在读写负载混合的场景中表现不如其他产品，这在于一些老款SSD中比较常见。
8K随机读写测试
PBlaze4在预处理过程中的随机写速度令人印象深刻，但是在8K随机负载中，在1OIO和2OIO测试条件下表现不如其他产品，而在32OIO至256OIO测试条件下成绩都处于领先，只是性能波动略高于其他几个产品。
在标准差子图中性能变化曲线更为清晰，可以看到PBlaze4延迟快速增长发生在75000IOPS之后，这一结果要好于其他几个参与测试的SSD，在32OIO条件下PBlaze4表现也不错，曲线和英特尔的DCP3608类似。
英特尔DCP3700（一个非常通用而低调的设备）总是能顺畅的完成测试而不需要过得干预，但是能产生比较稳定的测试结果。但是DCP3700在我们的功耗效率测试中表现非常突出。
DCP3608得益于两个控制器，在256OIO条件下4K随机写预处理中每IOPS的功耗是最低的，但是出乎意料的是DCP3608在4K和8K随机读的标准差结果上表现比较差。而SN150和PBlaze4在32和256OIO条件下功耗都比较稳定，PMCFlashtec支持的两个SSD轻松地在QoS相关的指标上取得了比较好的成绩，在读上的优势也比较明显。
在混合负载测试结果中，读写比例在70/30至20/80之间时，PBlaze4、DCP3700和SN150表现相当。在线形图上，性能一致性的结果中，英特尔DCP3700在QoS32OIO图表中处于一个领先的位置。
128K连续读写
Memblaze的PBlaze4在连续写预处理过程中处于领先地位，并且比起其他同类竞争产品具有更大灵活性。PBlaze3L在达到稳定状态前可提供一种独特的模式，但是无论如何，它的测试结果都大大超过了其他测试产品。
Memblaze很好地按照连续写负载要求调整了PBlaze4的设计，令其成为32至256OIO测试中表现最好的设备。在1和2OIO轻量级写负载条件下，英特尔的产品表现较好，这点从"延迟与IOPS的关系"的子图表可以看出。
有趣的是，在对"QoS与MB/s的关系"的图表中，PBlaze4和SN150的表现有着比较大的差别。在低负载条件下，它们都有不错的表现（异常值均持续较短）。但是随着带宽升高，PBlaze4表现要好于SN150。遗憾的是，它在QoS32OIO断点图中显示的结果却不大令人满意。大量SN150和PBlaze4（第1到第30OIO）的测试结果都高于英特尔产品的结果，这表示尽管异常值持续时间不长。
连续工作负载会分离出最大SSD能耗指数，这一轮的测试也不例外。正如我们所料，DCP3608在预处理阶段功耗最大。PBlaze4在测试阶段的功耗也相当大，但当我们考虑到"MB/s每瓦"图中显示的性能，我们发现所有的单控制器SSD的效率变化趋势都非常接近。
我们收到过少数对HGST的SN150的投诉，客户指出该产品在128K连续读负载状态下的性能变化有异常情况，即产品在256OIO时性能达到峰值，而在大部分低负载运行状态下，性能处于低谷。PBlaze4的连续性能变化趋势则与传统产品相似。任何一款单控制器SSD与高性能的双控制器DCP3608在连续工作负载方面都是无法比较的，但是SN150在16-32OIO条件下的性能具有相当高的竞争力。
除了在最小工作负载（1、2OIO）状态下，PBlaze4在其他方面都与令人印象深刻的DCP3700产品不相上下，"延迟与MB/s的关系"子图表的数据证明了这一点。
混合工作负载测试强调了Memblaze的PBlaze4和HGST的SN150独特的固件定制特点。PBlaze4更注重承担以读为主的连续工作，而SN150更擅长连续纯写入的工作。在256OIO条件下，SN150在处于90/10~70/30的读/写工作负载时，QoS表现略差，但在大部分其他测试条件下，该产品都较其他同类产品更具有竞争力。
令人惊讶的是，PBlaze4在32OIO混合连续测试中表现惊人。尽管DCP3608的评分最高，但PBlaze4是单控制器SSD中表现最好的。
除了4K随机读写和8k随机读写Tom'sIT对几款基于NVMe标准的PCIeSSD做了更为深入的评测，测试还涉及128k连续读写、OLTP、Web服务器、文件服务器、邮件服务器等多种测试场景。更为详细的内容请参看
http://www./Content/2016/02-01/1113210378.html
