MOS与BJT的原理及区别---知识点整理

MOS与BJT的原理及区别---知识点整理

MOS原理：

BJT原理：

BJT分为NPN和PNP。原理都是一样，比如NPN管，由两个共阳极的PN结组成。因此在N区会产生很多电子，在P区会产生很多空穴，此时在PN结处会感应出由发射区指向基区的静电场。当基极对发射区外加正向电压（大于内建电场）时，会打破空穴与多子的平衡，基区的电子开始往发射区扩散（PN结的导通电压一般为0.7V），此时如果再在集电极与发射极加正向电压，那么发射极的电子往基区运动（电子的方向都是反方向的），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，集电极的电子又通过电源回到发射极，形成一个平衡。这就是NPN的工作原理。

MOS与BJT的区别：

1、MOS是电压控制型元件，BJT是电流控制型元件；

2、MOS线性较好，BJT线性较差；

3、MOS噪声较大，BJT噪声较小；

4、BJT输入电阻小通过的电流大，因此功耗较大；

      MOS的输入电阻大，几乎不消耗电流常用来做电源开关管，以及大电流地方开关电路；

5、MOS的第一参数是跨导gm，BJT的第一参数是电流放大倍数贝塔值；