一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,能够判别出结型场效应管的三个电极。详细办法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。由于对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也能够将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其他的两个电极,测其电阻值。当呈现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其他两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,阐明是PN结的反向,即都是反向电阻,能够断定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,阐明是正向PN结,即是正向电阻,断定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不呈现上述状况,能够互换黑、红表笔按上述办法停止测试,直到判别出栅极为止。 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值能否相符去判别管的好坏。详细办法:首先将万用表置于R×10或R×100档,丈量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),假如测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;假如测得阻值是无量大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无量大,则阐明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则阐明管是坏的。要留意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 详细办法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1。5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发作变化,也就是漏源极间电阻发作了变化,由此能够察看到表针有较大幅度的摆动。假如手捏栅极表针摆动较小,阐明管的放大才能较差;表针摆动较大,标明管的放大才能大;若表针不动,阐明管是坏的。 (4)用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种办法判别出来的S、D极,还能够用估测其管的放大才能的办法停止考证,即放大才能大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种办法检测结果均应一样。当肯定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,普通G1、G2也会依次对准位置,这就肯定了两个栅极G1、G2的位置,从而就肯定了D、S、G1、G2管脚的顺序。 (5)用测反向电阻值的变化判别跨导的大小 二、场效应管的运用注意事项 (1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超越管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 (3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必需将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以避免外来感应电势将栅极击穿。特别要留意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保管时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。 关于功率型场效应管,要有良好的散热条件。由于功率型场效应管在高负荷条件下运用,必需设计足够的散热器,确保壳体温度不超越额定值,使器件长期稳定牢靠地工作。 三、VMOS场效应管VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新开展起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(0。1μA左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1。5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优秀特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因而在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正取得普遍应用。 由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因而依据PN结正、反向电阻存在差别,可辨认S极与D极。用交流表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(普通为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。 由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。 4.检查跨导 将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。 四、注意事项(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。关于P沟道管,测量时应交流表笔的位置。 (2)有少数VMOS管在G-S之间并有维护二极管,本检测办法中的1、2项不再适用。 (6)多管并联后,由于极间电容和散布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,经过反应容易惹起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子普通不超越4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。 五、怎样识别场效应管场效应管的文字符号为“VT”,图形符号如图4-22所示。
场效应管一般具有3个引脚,分别是栅极G、源极S和漏极D,它们的功能分别对应于双极型晶体管的基极b、发射极e和集电极c。由于场效应管的源极s和漏极D是对称的,实际使用中可以互换。双栅极场效应管具有4个引脚,分别是栅极G1和G2、源极s和漏极D。常用场效应管的引脚如图4-23所示,使用中应注意识别。 |
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