近日，上海磁宇信息科技有限公司申报的“超低功耗pSTT-MRAM数据存储芯片设计与研发”获得上海市科委科技成果转化和产业化项目“2015年度高新技术领域项目”的重点资助。 该项目用于新一代超低功耗pSTT-MRAM数据存储芯片设计与研发，解决下一代低功耗物联网数据存储技术方案。芯片应用面向物联网的存储芯片以及其它需要存储的IC芯片，可以缓解国产IC芯片的需求问题。项目研究成果将在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、数码、汽车、运输等诸多领域发挥广泛应用。特别是在物联网领域中，能够帮助物联网产品做得更小，功耗更低，市场前景广阔。
超低功耗数据存储pSTT-MRAM芯片，是一种基于自旋电子学磁电阻式随机存储技术的新型存储芯片，采用自旋极化电流，以磁状态而非电子荷电状态保存数据，相比传统的动态随机存储（DRAM）具有非易失性、高可靠性、超低延迟，可完美解决无线物联网海量数据存储技术瓶颈，实现一种高性能、超低功耗、超长使用寿命的互联网及物联网数据存储技术解决方案。MRAM是国际主流认为的电子设备中的理想存储器，是未来唯一全方位通用存储芯片，是未来取代DRAM、SRAM乃至嵌入式闪存的下一代新兴产业。
上海磁宇是国内第一家致力于研发MRAM磁电阻随机存储技术高端研究的的前沿性企业。公司坐落于上海张江高新技术产业开发区嘉定园，毗邻物联网联合创新中心。公司由国际顶级创业团队创立，团队成员具有几十年的成功创业经验。
磁宇获得上海市科委科技成果转化和产业化项目的重要支持，将有望填补国内自旋芯片研发的空白，将是中国绕开美日技术垄断限制，改变国内微电子工业落后局面的千载难逢机遇。也将有助于上海建设具有全球影响力的科技创新中心，巩固上海集成电路行业的制高点地位。
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