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据韩媒《ZDNet Korea》报导，3纳米闸极全环制程是让电流经过的圆柱形通道环绕在闸口，和鳍式场效晶体管（FinFET）的构造相比，该技术能更加精密地控制电流。 若将3纳米制程和最新量产的7纳米FinFET相比，芯片面积能减少45％左右，同时减少耗电量50％，并将性能提高35％。
当天活动中，三星电子将3纳米工程设计套件发送给半导体设计企业，并共享人工智能（AI）、5G移动通信、无人驾驶、物联网（IoT）等第四次产业革命的核心半导体技术。工程设计套件在代工公司的制造制程中，支持优化设计的数据文件。半导体设计公司能通过此文件，更轻易地设计产品，缩短上市所需时间、提高竞争力。
同时，三星电子计划在3纳米制程中，通过独家的多桥接通道场效应晶体管（MBCFETTM）技术，争取半导体设计公司的青睐。多桥接通道场效应晶体管技术是进一步发展的「细长的钢丝型态」的闸极全环构造，以轻薄、细长的纳米薄片进行堆栈。该技术能够提升性能、降低耗电量，而且和FinFET工艺兼容性强，有直接利用现有设备、技术的优点。
另一方面，三星电子计划在下个月5日于上海进行代工论坛，并于7月3日、9月4日、10月10日分别在韩国首尔、日本东京、德国慕尼黑举行代工论坛。
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