PS:前面部分是软件萌新的个人理解,如果有什么错误的理解部分,希望各位大牛给我指出。 SECTION 1:内存分布 一个程序包含两个部分: 1.只读区(代码区),代码区里有代码和只读数据。(代码区就是程序编译后生成的二进制文件,存在你的硬盘里) 2.读写区(变量区),变量区有全局变量,堆,栈。 栈:是由进程分配的临时变量的区域。 堆:是自己开辟出来的空间,C语言里有calloc ,malloc函数来开辟空间,由free释放。java由new开辟,有自动回收机制。 再细讲: http://blog.csdn.net/hackbuteer1/article/details/6786811 在现代的操作系统中,当我们说到内存,往往需要分两部分来讲:物理内存和虚拟内存。从硬件上讲,虚拟空间是CPU内部的寻址空间,位于MMU之前,物理空间是总线上的寻址空间,是经过MMU转换之后的空间。 SECTION 2:ROM和RAM ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read
Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的. DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR
RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 内存工作原理:内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。 目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。(个人认为flash和ROM的性质差不多) NOR FLASH和NAND FLASH的一些比较。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 (注:NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。) |
|
来自: 袁先森lemon > 《RT-Thread》