DMZ0615E的漏源耐压BV高达70V，关断电压V的典型值约为
DSXGS(OFF)
-16V，当∣V∣＜V时，DMZ0615E关断。
GS(OFF)SG
当附加绕组提供的输入电压V＜∣V∣时，则DMZ0615E的输出电
DGS(OFF)
压V，也就是提供给负载R的电压会跟随V变化，即V=V≈V。
SLDRLSD
负载R两端的电压为V=I×R，当附加绕组提供的输入电压V增加时，
LRLDSLD
流过电路的电流I增加，因此DMZ0615E源极电位V相应升高，即V增加，
DSSSG
并引起DMZ0615E导电沟道变窄，电流增加减缓。在此过程中负载R两端的电
L
压V无限接近器件的关断电压∣V∣，V≈∣V∣，此时提供给负载
SGS(OFF)SGS(OFF)
RL的电压VRL被钳位在∣VGS(OFF)∣=16V处（以DMZ0615E关断电压VGS(OFF)的
典型值为-16V计），不再随输入电压V的增加而增加。负载R流过的电流I
DLRL
（I=V/R）也不随输入电压V的增加而变化。因此不需要齐纳二极管进行
RLSLD
电压钳位。
DMZ0615E漏极电压最大值：
V=BV+∣V∣=70V+16V=86V
D,MAXDSXGS(OFF)
由此可以看出利用DMZ0615E耗尽型MOSFET可以组成一个简单稳定的
宽电压输入的电压调节器或电流源，特别适合QC或Type-CPD的变电压输出的
快速充电器应用。
超高阈值电压系列耗尽型MOSFET有：
漏源击穿电压为70V的06XX系列，其中DMZ0615E采用紧凑的SOT-23封
装；DMX0615E采用SOT-89封装，具有更大的耗散功率。DMZ0622E和
DMX0622E，分别采用SOT-23和SOT-89封装，具有更高的阈值电压。
还有漏源击穿电压为100V的DMX1015E，采用SOT-89封装且阈值电压最
高达27V，更适合大功率的充电器应用。
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