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Intel与美光合作的3D XPoint闪存在各种傲腾产品上展示出了它强劲的性能，极低的延时使其用有超强的随机性能，特别是4K QD1的随机读写IOPS是现在SSD的好几倍，在Intel与美光联手搞事情的同时闪存市场的一哥三星自然也不能坐视不管，其实很早之前三星就展示过他们使用Z-NAND闪存的Z-SSD，现在三星终于公布了这款产品的数据。 首款使用Z-NAND的SSD是SZ985，只有800GB一个容量，采用HHHL的半高半长的PCI-E卡规格，使用PCI-E 3.0x4接口，连续读写速度都是3.2GB/s，最大随机读写IOPS为750K/170K，读取延时12-20us而，写入延时则是16us，而使用3D XPoint的Optane DC P4800X则有350GB和750GB两个容量，连续读写速度为2.4/2GB/s，最大随机读写IOPS为550K/500K，读写延时都是10us，三星的Z-NAND虽然性能不错但是3D XPoint的低延时优势还是相当大的，耐久度方面两者都是30 DWPD。 不过三星的Z-NAND就不像Intel与美光的3D XPoint那样具有革命性与创新性了，虽然三星没明说，不过Z-NAND其实就是64层堆叠的SLC闪存，而且应该是运行在SLC模式下的MLC闪存，这样可以强化性能与耐久性，而且三星有提到了采用独特的电路设计，闪存封装中使用了更短的位线与字线，这样可以提高性能 另外三星还透露了未来还会有MLC闪存的变种产品，性能会低一些不过容量更大，三星的SZ985应该会是Intel Optane的有力竞争对手，3D XPoint随好但是实在太贵了，产能也低，而三星这个应该不用担心产能问题，只需要定个好价就会有很好的竞争力，当然价格现在还没公布。 |
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