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直流磁控溅射方法在Si3N4/Si衬底上淀积了一层55nm的氧化钒薄膜,随后对氧化钒薄膜分别进行不同剂量的O+和Ar+注入.O+具有非常强的化学活性,能够钝化各种电子材料中的缺陷状态,而Ar+作为一种惰性离子,主要是作为一种对比来研究离子轰击对氧化钒的影响.利用四探针测试设备,扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),拉曼分析(Raman),傅里叶红外光谱分析(FTIR),X射线光电子能谱分析(XPS)以及X射线衍射仪(XRD)等表征方法来分析离子注入前后氧化钒薄膜性质的变化.实验结果表明,低剂量的O+或Ar+注入都能够使氧化钒的电阻温度系数(TCR)值上升,TCR值分别达到了-2.57%/K或-2.51%/K.而高剂量的O+或Ar+注入反倒会使氧化钒的TCR值和方块电阻(Rsq)值急剧下降.分析发现低剂量O+注入前后薄膜的表面形貌和价键没有发生明显变化.研究表明低剂量O+注入后载流子跳跃导电的激活能上升了,从而导致TCR值上升.
我们有多孔材料、石墨烯、钙钛矿、量子点、纳米颗粒、空穴传输材料、纳米晶、化学试剂、光电化学品、有机光电和半导体材料、材料中间体、酶制剂、酶底物、定制类纳米管、定制氮化物等一系列产品。 相关产品 氮化硅/碳化硅陶瓷复合材料 碳纳米管增韧氮化硅陶瓷复合材料Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO 氮化硅-氮化硼系复合材料Si3N4-BN 氮化硅/碳纤维/环氧树脂导热复合材料(SiN/CF/EP) 多层与单层纳米管(MWCNTs、SWCNTs BAS/Si3N4复合材料 SiAlON陶瓷 BAS/SiC复合材料 Si3N4/BAS陶瓷复合材料 SiC(w)/SiN复合材料 Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO复合物 zl 03.23 |
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