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氮化硼纳米薄膜材料制备 氮化硼纳米薄膜材料制备方法与合成石墨烯相似，主要有机械剥离法、化学剥离、化学气相沉积、高能电子辐照等。 1、机械剥离法 机械剥离法制备氮化硼纳米薄膜材料，首先是采用湿法球磨从氮化硼粉体上制备氮化硼纳米薄片，将氮化硼薄膜剥离的作用力为剪切力。该法加入了苯甲酸苄酯作为球磨助剂，以减小球磨时对氮化硼薄膜的碰撞和破坏。
2、化学剥离法 化学剥离法是利用化学溶液法从单晶氮化硼制备了单个和数个原子层氮化硼纳米薄片。将单晶氮化硼放入5ml的m-苯乙烯、2，5-苯乙烯共聚物的1，2-二氯乙烷溶液（1.2mg/10ml）中超声分散1h后，氮化硼晶体剥离成片状氮化硼。 化学剥离法中需要加入强极性溶剂，例如N，N-二甲基甲酰胺（DMF），极性的DMF分子和氮化硼表面有强烈的相互作用，有助于获得氮化硼纳米薄片。通过化学剥离法，可以获得毫克级别的纯氮化硼纳米薄片，且厚度均在2-10nm之间。 3、化学气相沉积法 化学气相沉积法制备氮化硼纳米薄膜主要分为外延生长和非外延生长。 （1）外延生长 外延生长制备氮化硼纳米薄膜是采用二元系统先驱体（BF3-NH3、BCl3-NH3、B2H6-NH3），或者采用单一先驱体进行热解，例如环硼氮烷（BN3H6）、三氯环硼氮烷（B3N3H3Cl3）或者六氯环硼氮烷（B3N3H3Cl6）。其中，由环硼氮烷的热解可以沉积出化学计量比为1:1的氮化硼薄膜。 瑞士苏黎世大学的研究人员以铑为基体，在其上构造出蜂巢状的氮化硼（又称“白色石墨烯”）纳米网构成，单层纳米网厚度0.1纳米，网间距3.2纳米。通过改变单层碳化硼的原子角度，能够在加电/不加电的情况下，实现从亲水到疏水的转变。具体而言，该材料可通过改变纳米结构，改变原子表面的静态阻力（一种状态是高粘滞的亲水态、另一种状态则是低粘滞的疏水态），进而改变其亲/疏水状态。 （2）非外延生长 非外延生长以氧化硼（B2O3）和三聚氰胺粉体作为先驱体，通过控制不同的生长温度（1100-1300℃），可将氮化硼薄膜的厚度控制在25-50nm之间。氮化硼纳米薄膜材料的层数由反应物的浓度决定。 相关产品 硒化钨/碘化铬(WSe2/CrI3)异质结 Si3N4/BN复合材料 层状Si3N4/BN复合材料 氮化硼填充MVQ 氮化硼包覆纳米氧化锌体系 聚晶立方氮化硼(PCBN) 氮化硼量子点修饰纳米环状磁性氧化石墨烯复合光催化材料 氮化硼填充导热绝缘复合材料 高温钎焊立方氮化硼(CBN) 氮化硼填充甲基乙烯基硅橡胶导热复合材料 氧 硫掺杂六方氮化硼(h-BN) 立方氮化硼超硬磨料 zl 03.30 |
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