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Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
MR25H10CDC是一款位宽128Kx8的非易失存储器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10CDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。MR25H10CDC采用5mmx6mm8引脚DFN封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。
1Mb串行mram特性
·无写入延迟
·无限写入耐久性
·数据保留超过20年
·断电时自动数据保护
·块写保护
·快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
·2.7至3.6伏电源范围
·低电流睡眠模式
·工业温度
·提供8引脚DFN RoHS兼容封装
·直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
·AEC-Q1001级选项
MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。，市场上已有从非常小的 MRAM 芯片到1Gb芯片的MRAM芯片，并且正在将这种技术用于许多应用。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。
MR25H10系列产品
| Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple / T&R | MOQ / T&R |
|---|
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDC | 8-DFN | 3.3V | Industrial | 4,000 | 4,000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 4,000 | 4,000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDF | 8-DFN sf | 3.3V | Industrial | 4,000 | 4,000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 4,000 | 4,000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 4000 | 4000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 4000 | 4000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 4000 | 4000 | | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDCR | 8-DFN | 3.3v | Industrial | 4000 | 4000 |
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