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化学气相沉积（CVD）是一种用于生产高纯度固体材料的真空沉积工艺，该工艺经常被半导体制造领域用于在晶圆表面形成薄膜。在 CVD 法制备碳化硅的过程中，基板暴露在一个或多个挥发性前驱体中，这些前驱体在基板表面发生化学反应，沉积生成所需的碳化硅沉积物。在制备碳化硅材料的众多方法中，化学气相沉积法制备的产品具有较高的均匀性和纯度，且该方法具有较强的工艺可控性。
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CVD 碳化硅材料因其具有出色的热、电和化学性质的独特组合，使其非常适合在需要高性能材料的半导体行业应用。CVD 碳化硅零部件被广泛应用于刻蚀设备、 MOCVD 设备、 Si 外延设备和 SiC 外延设备、快速热处理设备等领域。
由石墨邦联合青岛华锦新材料科技发展有限公司（新华锦集团和中科院山西煤化所郭全贵老师合作项目）共同主办的2024年第五届半导体用炭材料技术研讨会将于2024年4月25-27日在青岛市召开。会议期间，华锦新材将发布新产品，同时去华锦新材参观学习，欢迎报名参加会议！
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整体来看， CVD 碳化硅零部件最大细分市场为刻蚀设备零部件。由于 CVD 碳化硅对含氯和含氟刻蚀气体的低反应性、导电性，使其成为等离子体刻蚀设备聚焦环等部件的理想材料。刻蚀设备中 CVD碳化硅零部件包含聚焦环、 气体喷淋头、托盘、边缘环等。以聚焦环为例， 聚焦环是放置在晶圆外部、直接接触晶圆的重要部件，通过将电压施加到环上以聚焦通过环的等离子体， 从而将等离子体聚焦在晶圆上以提高加工的均匀性。进入半导体炭材料交流群，请加微信：shimobang。传统的聚焦环由硅或石英制成，随着集成电路微型化推进，集成电路制造对于刻蚀工艺的需求量、重要性不断增加，刻蚀用等离子体功率、能量持续提高，尤其是电容耦合（CCP）等离子体刻蚀设备中所需等离子体能量更高，因此碳化硅材料制备的聚焦环使用率越来越高。CVD 碳化硅聚焦环原理图如下所示：
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根据 QY Research 数据统计及预测， 2021 年全球 CVD 碳化硅零部件市场收入达到 7.07 亿美元，预计 2028 年将达到 14.32 亿美元，年复合增长率（CAGR）为 10.61%。
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根据 QY Research 数据统计及预测， 2021 年，中国 CVD 碳化硅零部件市场 收入达到 1.58 亿美元，预计 2028 年将达到 4.26 亿美元，年复合增长率（CAGR）为 15.22%。
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