关于芯片功耗的那点事(四）

大壮在前面学习了power 的周边，这一次继续来聊聊数字IC后端物理设计中，IR drop的分析流程以及如何预防和解决IR drop的问题，让芯片的 IR signoff更加顺畅舒适。

IR Drop 是什么？

IR 压降是指出现在电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。较先进工艺的的金属宽度和层数引入电源网路的电阻明显增加，提及整个PDN（Power Delivery Network)，早期的芯片有如下的简单模型，IR drop主要发生在如下三段，1）从芯片外部的电源开始考虑，第一段是到 PCB /Board上的压降；2）第二段是package引入的压降；3）第三部分是 chip 从P/G PAD 到内部每个instance 的压降；

模型

IR drop 发生在chip 的所有区域，就看控制得好不好。那就上工具。

 数字后端Icer，先着眼于Chip level 的IR drop，和大壮一起来捋一捋.

分析IRdrop 的后端工具有几个，我们就不用面面俱到，搞透一个先，点兵点将，就从Redhawk 开始吧(开玩笑啦，redhawk 用得还蛮多的，有下面一句作为补充)

猜一猜，S家花了多少money把它收入囊中。

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2）Redhawk 如何分析Static IR Drop？

如下图，Chip 等效的静态压降的简化模型.

Vdd pad 是代表chip 的power supply pad

Vss pad 是表示chip 的ground pad

Ipad 是流经pad 的等效电流

R 是等效电阻网络

Iavg 是流经每个instance的等效电流

Instance就是chip 中的器件，以反相器为例示意，都是挂在这个power网络上；

模型

我们先引入理论，消化一下，每一行标注都值得放大去看看。

下一期继续