量测和检测对于半导体制造过程的管理非常重要。半导体晶圆的整个制造过程有400到800个步骤,需要一到两个月的时间。如果在流程的早期出现任何缺陷,后续耗时工艺中所做的所有工作都将被浪费。因此,在半导体制造工艺的关键点建立量测与检测流程,可以有效确保和维持良率。 01 半导体中的量测 在半导体制造过程中,'量测'(Metrology)指的是使用各种技术和设备对晶圆(wafer)和芯片进行测量和监控,以确保制造工艺的精度和产品的质量。量测技术在半导体制造中的应用贯穿整个生产过程,从前道工序(如光刻、刻蚀、沉积等)到后道工序(如封装和测试),确保每一步工艺的精度和质量,最终提高产品的良率和性能。量测在半导体制造中扮演着关键角色,以下是一些常见的量测技术和它们的应用: 1. 光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)
2. 薄膜厚度测量
3. 关键尺寸(Critical Dimension, CD)量测
4. 光掩模(Photomask)和掩模检测
5. 电特性测量
6. X射线和光电子能谱(XPS)
7. 化学机械抛光(CMP)量测
8. 颗粒检测和表面缺陷检测
9. 翘曲度测量
02 量测案例
量测通常是指使用量测设备来测量关键结构参数与体积的方法。 量测虽然通常被认为是测量的同义词,但它是一个更全面的概念,它不仅指测量行为本身,还指通过考虑误差和精度以及量测设备的性能和机制来执行的测量。如果图案测量结果不在给定的规格范围内,则制造的器件不能按设计运行,在这种情况下,电路图案的曝光转移可能需要返工。测量点的数量因半导体器件制造商或器件而异。新设计的器件在制造的启动阶段可能会经历数千个晶圆的量测过程。 03 半导体中的检测 涉及使用检测设备根据特定标准检测是否符合要求,以及异常或不适合的情况,是一个检测晶圆中任何颗粒或缺陷的过程。具体来说,其目的是找到缺陷的位置坐标(X,Y)。 缺陷的原因之一是灰尘或颗粒的粘附。因此不可能预测哪里会出现缺陷。如果晶圆表面出现大量缺陷,则无法正确创建电路图案,从而导致图案缺失,阻止电子电路正常运行,从而使晶圆成为有缺陷的产品。检测缺陷并指定其位置(位置协调)是检测设备的主要作用。 主要的半导体制造工艺包括相当于印刷版的光掩模制造工艺、作为半导体基础的晶圆制造工艺、利用光掩模在晶圆上形成精细电路结构的前端工艺以及后端工艺。电路形成后封装单个半导体芯片的最终过程。如果我们看细节的话,有上百个流程。 检测设备在生产率如此高的半导体制造过程中极其重要,可以尽早剔除缺陷产品,降低成本,提高质量和可靠性。选择半导体检测设备的标准应考虑晶圆的直径、要使用的工艺以及要检测的缺陷类型。 半导体检测设备用于半导体制造过程的各个阶段。检测缺陷包括光掩模和晶圆上的变形、裂纹、划痕和异物,前道工序中形成的电路图案的错位,尺寸缺陷,后道工序中的封装缺陷等。半导体制造的难点在于需要上百甚至上千个步骤的紧密配合,每一步都要严格按照设计目标进行,才能最终制作出所需的器件。各个工艺步骤之间的协调和前后对准是基本要求。因此,缺陷检测和过程监控至关重要。
04 总结 除了量测和晶圆检测之外,缺陷审查、分析和分类对于监控和控制半导体制造序列中各个步骤的质量也至关重要。量测程序验证每一步都满足生产中器件的目标物理和电气特性,而晶圆检测则识别表面颗粒、图案缺陷和其他可能损害成品器件性能的条件。 |
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