本文主要探讨串联OLED和非串联OLED在低亮模式下的Crosstalk问题。下图为2nit-GL96条件下两者的光谱对比，串联WRGB峰值均低于非串联，这是由于串联OLED公共层具有较强的电荷传输能力，造成电荷横向运动增加，垂直方向减少，进而降低了OLED辐射复合发光亮度。在B像素光谱中，串联和非串联OLED都有R和G峰，串联OLED的G峰更强，说明双共层具有更明显的横向电荷运动，对垂直电荷输运的影响更大，导致低灰阶色偏，并且色域面积明显减小。改善上述问题目前有两种方案。1、利用FMM蒸镀公共层和CGL（charge generation layer）层。此方案要求相邻子像素之间保留足够的PDL gap，以满足不重叠公共层。这将导致开口率或PPI降低。2、在子像素之间的PDL进行底切，阻断公共层，成本较低，适于量产。针对第二种方案，以高PPI像素产品为例，首先围绕B子像素设计了单、双咬边结构，如图所示。此外，我们还进行了多方案下切设计。如图所示，下切结构的串联OLED相比不下切具有更高的光谱峰值，且没有其他发光峰。下切结构的串联OLED色域有明显改善，如下图。此外，这种下切方案会切到阴极，使得VSS IR Drop比预期要大，因此需要控制其对VSS IR Drop的影响。 (侵删)
