大家看了我们的前三讲教程,想必已经非常期待第四讲课程了。从第四讲开始,就带大家真正的进入到的SDRAM的世界了。 第四讲的主要内容如下:
一、SDRAM常识性知识普及关于SDRAM的基本概念,在这先引用《终极内存指南》这篇文章中的一段话: “SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失,因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的,大家知道电容在自然放置状态是会有放电的,如果电放完了,也就意味着SDRAM中的数据丢失了,所以SDRAM需要在电容的电量放完之前进行刷新;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据的读写。” 个人觉得这应该是对SDRAM作的一段比较完整详细的介绍了。。。。 这只是对SDRAM的概念介绍,下面再简单的看一下SDRAM的内部结构。 对于SDRAM的内容结构,就如同Excel的表格: 其中的一个小表格就是SDRAM内部的一个存储单元,而要确定这个存储单元的为止,只需要知道行地址(row address)和列地址(col address)就可以了。 这样的一张表格就相当于是SDRAM的一个Bank,一般SDRAM有4个Bank,也就是相当于有4张这样的表格。 所以SDRAM的容量计算方式为: SDRAM容量 = 数据位宽 x 存储单元数量(行地址 x 列地址 x Bank数) 二、SDRAM引脚介绍讲SDRAM的引脚,就必须要看SDRAM的datasheet咯。 对于SDRAM的地址线,大家一定要注意,它的行列地址线是复用的。并且A10这根地址线还是一个Auto-Refresh的标志位。 对于这部分内容呢,就先介绍到这,如有不清楚的地方,可以观看我们录制的视频教程。
教程观看地址:http://t.elecfans.com/1418.html(本套视频教程已全部更新完毕) 百度网盘地址:http://pan.baidu.com/s/1o88h0Ps 密码:t9qg(已上传完毕) 三、学习SDRAM初始化的配置过程对于的初始化,也是需要参考官方文档的。 对于初始化过程,首先需要有200us的一个延时,在延时满足之后,给一次Precharge命令,之后再给两次Auto-refresh命令,最后进行模式寄存器配置。 当然对于这些命令与命令之间的延时参数,也是需要结合文档来确定的。 在设置模式寄存器的时候,需要配置潜伏期、突发类型、突发长度这几个参数。这几个参数是在进行配置命令时给Addr这些引脚赋值决定的。 四、编写SDRAM初始化模块并进行仿真对于SDRAM初始化模块的编写,我们可以先学习下SDRAM的初始化时序图,然后再根据时序图设计初始化模块的时序。 下边是Kevin设计的一个时序图,比较简单: 对这个时序图,相信大家已经不用Kevin作太多的解释就可以看懂了。 关于初始化模块的代码,就由大家自己来完成了哦。如果有疑惑的地方,可以先学习下本讲视频教程。 编写完代码后,就进入到了SDRAM的仿真阶段,仿真的话,需要用到SDRAM的仿真模型,并且修改对应的参数。 在例化好模块之后,可以先让Modelsim运行201us,若初始化模块编写正确,就可以再Modelsim中看到如下的打印信息了: 这些信息中包含了模式寄存器的配置信息。在配置模式寄存器时,给它设置的潜伏期为3,突发长度为4。 关于潜伏期和突发长度的含义,大家可以学习《终极内存指南》(该文档在Kevin的个人博客提供下载:http:///doc)。当然也可以观看我们的视频教程进行学习,Kevin在视频中也讲解得很详细。 好了,这一讲内容就先讲到着了哦,有啥问题大家可以先观看视频教程进行学习,或者加入开源骚客的QQ交流群,群内已有多数成员已成功设计出专属于自己的SDRAM控制器哦!!!! 转载请注明:邓堪文博客 » 【开源骚客】《轻松设计SDRAM控制器》第四讲—SDRAM 理论基础讲解 |
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